特許

J-GLOBAL ID：200903093987166693

レーザアニール処理装置

発明者： 加藤 修 ,  澤井 美喜 ,  丸木 祐治 ,  川原 和之
出願人/特許権者： 株式会社日本製鋼所
代理人 (1件)： 横井 幸喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-141400
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316169
出願日： 1995年05月17日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【目的】 大面積で品質の優れた多結晶半導体薄膜基板を製造する。【構成】 チャンバー2内に設置される基板載置台4とレーザ光10を照射するレーザ照射手段3a,3b,3cと基板載置台4の下方に位置する加熱手段5とを有し、基板載置台4の周縁部上方に基板載置台4と近接して熱反射手段7が設けられている。【効果】 大面積の基板においても均一に加熱され、この基板上の非晶質半導体薄膜を結晶化することにより、品質が均一で大面積の多結晶半導体薄膜基板が得られる。

請求項（抜粋）：

チャンバー内に設置され絶縁基板が載置される基板載置台と、絶縁基板に向けてレーザ光を照射するレーザ照射手段と、前記基板載置台の下方に位置して基板載置台上の絶縁基板を加熱する加熱手段とを有し、チャンバー内で絶縁基板上の非晶質半導体薄膜にレーザ光を照射して結晶化させるレーザアニール処理装置において、前記基板載置台の周縁部上方に、該基板載置台と近接して熱反射手段が設けられていることを特徴とするレーザアニール処理装置

IPC (5件)：

H01L 21/268 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/268 Z ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/12 R ,  H01L 29/78 627 G