特許
J-GLOBAL ID:200903093997644127
アクティブ・マトリクス型有機電界発光素子及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (11件):
岡部 正夫
, 加藤 伸晃
, 産形 和央
, 臼井 伸一
, 藤野 育男
, 越智 隆夫
, 本宮 照久
, 高梨 憲通
, 朝日 伸光
, 高橋 誠一郎
, 吉澤 弘司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-188486
公開番号(公開出願番号):特開2004-111361
出願日: 2003年06月30日
公開日(公表日): 2004年04月08日
要約:
【課題】耐久性及び信頼性が向上した有機EL素子を提供する。【解決手段】基板110に形成された複数のスイッチング素子と、スイッチング素子を覆い、スイッチング素子の一部を露出させるコンタクトホール128を有する第1保護膜140と、第1保護膜上部で、コンタクトホールを通してスイッチング素子と連結する第1電極142と、第1電極上部で第1電極を露出させる開口部144を有し、第1電極の縁部を覆う第2保護膜146と、第2保護膜上部の開口部を通して第1電極と結する有機電界発光層148と、有機電界発光層上部の第2電極150とを含み、第1保護膜は表面が平坦化される第1有機物質、第2保護膜は成膜温度が低い有機絶縁物質であることを特徴とするアクティブ・マトリクス型有機EL素子を提供する。保護膜の平坦化効果が高く電極間短絡を防止でき、下部膜に加えられる損傷を減らし、保護膜の厚さを厚く形成できるので、耐久性及び信頼性が向上する。【選択図】 図3
請求項(抜粋):
サブピクセル単位で発光領域が定義された基板と;
前記サブピクセル単位で前記基板上部に形成された複数のスイッチング素子と;
前記スイッチング素子を覆って基板全面に形成され、前記スイッチング素子の一部を露出させる第1コンタクトホールを有する第1保護膜と;
前記第1保護膜上部に配置され、前記第1コンタクトホールを通して前記スイッチング素子と連結する第1電極と;
前記第1電極上部に配置されて前記第1電極を露出させる開口部を有し、前記第1電極の縁部を覆う第2保護膜と;
前記第2保護膜上部の発光領域に配置され、前記開口部を通して前記第1電極と連結する有機電界発光層と;
前記有機電界発光層上部に配置される第2電極とを含んでなり、前記第1保護膜は、表面が平坦化される第1有機絶縁物質から選択され、前記第2保護膜は、無機絶縁物質より成膜温度が低い有機絶縁物質から選択されることを特徴とするアクティブ・マトリクス型有機電界発光素子。
IPC (6件):
H05B33/22
, G09G3/20
, G09G3/30
, H01L29/786
, H05B33/10
, H05B33/14
FI (6件):
H05B33/22 Z
, G09G3/20 624B
, G09G3/30 J
, H05B33/10
, H05B33/14 A
, H01L29/78 619A
Fターム (33件):
3K007AB08
, 3K007AB11
, 3K007AB18
, 3K007BA06
, 3K007DB03
, 3K007EA00
, 3K007EB00
, 3K007FA00
, 5C080AA06
, 5C080BB05
, 5C080DD29
, 5C080EE29
, 5C080FF11
, 5C080HH09
, 5C080JJ03
, 5C080JJ06
, 5F110AA14
, 5F110AA18
, 5F110BB01
, 5F110CC02
, 5F110FF03
, 5F110GG02
, 5F110GG13
, 5F110GG35
, 5F110HL02
, 5F110HL04
, 5F110NN04
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN27
, 5F110NN36
, 5F110NN73
, 5F110QQ19
引用特許:
審査官引用 (6件)
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樹脂組成物
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-357222
出願人:住友ベークライト株式会社
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発光装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-223863
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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発光装置及びその作製方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-136190
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
-
自発光装置及びその作製方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-047201
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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可溶性ポリイミド
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-291208
出願人:ユニチカ株式会社
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半導体装置の作製方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-040141
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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