特許
J-GLOBAL ID：200903094000912557
シリコンウェハ内に埋込酸化層を形成するための方法、および半導体コンポーネント
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-243271
公開番号（公開出願番号）：特開平8-111453
出願日： 1995年09月21日
公開日（公表日）： 1996年04月30日
要約：
【要約】【課題】 シリコンウェハ内に埋込酸化層を形成するための簡単かつ低コストであり、高品質な物質を獲得する方法を提供する。【解決手段】 シリコンウェハ内に埋込酸化層を形成するための方法および装置はいくつかのステップを含む。リセスがシリコンウェハに形成される。軽いイオンはシリコンウェハでリセスの深度よりも浅い深度に注入され、シリコンウェハに軽いイオンの気泡を形成する。軽いイオンはシリコンウェハから蒸発し、気泡の場所にキャビティを残す。キャビティはリセスを介して酸化され、シリコン酸化物の埋込層を形成する。
請求項（抜粋）：
シリコンウェハ内に埋込酸化層を形成するための方法であって、前記シリコンウェハにリセスを形成するステップと、前記リセスの深度よりも浅い深度で前記シリコンウェハに軽いイオンを注入し、前記シリコンウェハに前記軽いイオンの気泡を形成するステップと、前記シリコンウェハを介して前記軽いイオンを蒸発させ、前記気泡があったところにキャビティを残すステップと、前記リセスを介して前記キャビティを酸化し、前記シリコンウェハにシリコン酸化物の埋込層を形成するステップとを含む、方法。
IPC (3件)：
H01L 21/762
, H01L 21/316
, H01L 27/12
