特許

J-GLOBAL ID：200903094001875396

絶縁膜の成膜方法

発明者： 原 昌輝
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-173810
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026449
出願日： 1997年06月30日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：

【要約】【課題】 流動性のある原料を用いて絶縁膜を成膜する場合に、金属配線の腐食やポイズンドビアなどの問題が引き起こされることがない絶縁膜の成膜方法を提供する。【解決手段】 Al合金配線2が形成された段差のあるSi基板1上に、SiH4 とN2 Oとを用いるプラズマCVD法によりベース層としてSiO2 膜3を成膜し、さらにその上にSiH4 または有機シランとH2 O2 とを用いる減圧CVD法により流動性のある層間絶縁膜4を成膜した後、この層間絶縁膜4にO2プラズマ処理を施す。この後、この層間絶縁膜4上にSiH4 とN2 Oとを用いるプラズマCVD法によりキャップ層としてSiO2 膜5を成膜する。O2 プラズマ処理の代わりに、ランプ加熱による高速熱処理またはO3 処理を行ってもよい。

請求項（抜粋）：

段差を有する基板上に流動性のある原料を用いて絶縁膜を成膜することにより上記段差を埋めるようにした絶縁膜の成膜方法において、上記基板上に流動性のある原料を用いて流動性のある第1の絶縁膜を成膜する工程と、上記第1の絶縁膜にプラズマ処理を施す工程と、上記プラズマ処理が施された上記第1の絶縁膜上に流動性のない第2の絶縁膜を成膜する工程とを有することを特徴とする絶縁膜の成膜方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/316 P ,  H01L 21/316 G ,  H01L 21/90 K