特許

J-GLOBAL ID：200903094003698181

放射線検出装置及びその製造方法

発明者： 望月 千織
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-354585
公開番号（公開出願番号）：特開2002-158343
出願日： 2000年11月21日
公開日（公表日）： 2002年05月31日
要約：

【要約】【課題】 安定材料である化合物半導体材料を用いて、大面積化を安定的に且つ低価格で実現し、更に均一な大面積特性、特に40cm×40cm以上の大面積化を実現する放射線検出装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 放射線を電荷に変換する複数のGaAs基板2と、電荷を蓄積し転送するTFT基板1とを備えた放射線検出装置において、複数のGaAs基板2を、TFT基板1上に形成すると共に、TFT基板1に隣接するGaAs基板2の端面の画素を、対応するTFT基板1の同一画素に対し導電性接着剤24を介して一括に電気的に接続する。

請求項（抜粋）：

放射線を電荷に変換する複数のセンサ基板と、前記電荷を蓄積し転送するTFT基板とを備えた放射線検出装置において、前記複数のセンサ基板は、前記TFT基板上に配置されると共に、前記TFT基板に隣接する前記センサ基板の端面の画素は、対応する前記TFT基板の同一画素に対し一括に電気的に接続されていることを特徴とする放射線検出装置。

IPC (6件)：

H01L 27/14 ,  G01T 1/24 ,  H01L 27/146 ,  H01L 31/09 ,  H04N 5/30 ,  H04N 5/32

FI (6件)：

G01T 1/24 ,  H04N 5/30 ,  H04N 5/32 ,  H01L 27/14 K ,  H01L 27/14 C ,  H01L 31/00 A

Fターム (38件)：

2G088EE01 ,  2G088EE30 ,  2G088FF02 ,  2G088FF04 ,  2G088GG21 ,  2G088JJ05 ,  2G088JJ09 ,  2G088JJ33 ,  2G088JJ37 ,  2G088LL12 ,  4M118AA01 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118BA19 ,  4M118CA14 ,  4M118CB02 ,  4M118EA20 ,  4M118FB03 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB16 ,  4M118GA10 ,  4M118HA26 ,  4M118HA29 ,  5C024AX11 ,  5C024AX16 ,  5C024CX41 ,  5C024CY47 ,  5F088AB07 ,  5F088BA20 ,  5F088BB03 ,  5F088BB07 ,  5F088EA04 ,  5F088EA08 ,  5F088JA09 ,  5F088KA03 ,  5F088LA07