化合物半導体気相成長方法及びその装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-228182
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335246
出願日： 1992年08月27日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：

【要約】【目的】3一5族化合物半導体の気相成長を行なうに際して、界面に結晶組成およびキャリアの遷移領域の小さい、結晶性の良いヘテロエピタキシャル層を成長させる。【構成】基板ホルダ7aの周囲を囲むとともに基板8に5族成分含有ガスを吹き付けたり吸引したりする噴出口13及び吸引口14が先端部の内側に軸方向に並べて形成される円筒部材11を備え、ヘテロエピタキシャル層成長に伴うエピタキシャル成長用ガス及びドーピング用ガスの種類・流量の変更時に、円筒部材11の噴出口13より基板8上に噴出し、基板8の近傍を5族成分含有ガスで包み、反応管内の残留するエピタキシャル成長ガス及びドーピングガスから遮断し、これら残留するガスの影響を無くす。また、エピタキシャル成長させる際に、円筒部材11と基板ホルダ7aと相対的に移動させ、基板周辺に残留する5族成分含有ガスを下流側の吸引口14で吸引することにより、5族成分含有ガスに晒すことを無くしエピタキシャル成長には何ら影響を及ぼさないようにする。

請求項（抜粋）：

3-5族化合物半導体のエピタキシャル成長用ガス及びドーピングガスを一方向より流す反応管内の下流側に被成長基板を保持する基板ホルダを配置し、前記エピタキシャル成長用ガスおよびドーピングガスのガス種・流量変更切替え時に、5族成分含有ガスを前記被成長基板に噴出させ前記被成長基板をこの5族成分含有ガスで包み、切替えが終了し新たに供給されるガスによって成長及びドーピングが行なわれるときに放出された前記5族成分含有ガスを吸引して取り去ることを特徴とする化合物半導体気相成長方法。

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