特許
J-GLOBAL ID：200903094009500367
透過マスク及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-028308
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244091
出願日： 1993年02月18日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：
【要約】【目的】 荷電粒子ビームを用いてパターンのブロック露光を行う際に用いる透過マスク及びその製造方法に関し、露光精度を向上し且つ長期にわたり安定に維持することを目的とする。【構成】 マスク母体に薄膜化した半導体基板3を用い該薄膜化半導体基板3に所定のパターン形状を有する荷電粒子透過孔9が形成されてなる荷電粒子露光用の透過マスクであって、少なくとも該薄膜状半導体基板3の表面及び該透過孔9の内面、若しくは少なくとも該薄膜状半導体基板3の表面と該透過孔9の内面及び該薄膜状半導体基板の裏面がタングステン膜で覆われている透過マスク、及び上記タングステン膜を化学気相成長方法により形成する透過マスクの製造方法。
請求項（抜粋）：
マスク母体に薄膜化した半導体基板を用い該薄膜化半導体基板に所定のパターン形状を有する荷電粒子透過孔が形成されてなる荷電粒子露光用の透過マスクであって、少なくとも該薄膜状半導体基板の表面及び該透過孔の内面、若しくは少なくとも該薄膜状半導体基板の表面と該透過孔の内面及び該薄膜状半導体基板の裏面がタングステン膜で覆われていることを特徴とする透過マスク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 341 S
, H01L 21/30 301 R
