特許

J-GLOBAL ID：200903094010945640

半導体レーザ素子およびその製造方法

発明者： 種谷 元隆 ,  瀧口 治久 ,  猪口 和彦 ,  工藤 裕章 ,  奥村 敏之 ,  菅原 聰
出願人/特許権者： シャープ株式会社 ,  光技術研究開発株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-271966
公開番号（公開出願番号）：特開平6-177480
出願日： 1992年10月09日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：

【要約】【目的】 所望の方向の直線偏光のみを選択性よく発振できる垂直共振器型面発光半導体レーザ素子を得る。【構成】 基板に垂直な方向にレーザ共振が生じる半導体レーザ素子において、光が発生する活性層に、光を閉じ込める複数の量子細線110が形成されている。この量子細線110の長手方向には、それと直交する方向に比べて大きな利得が生じる。よって、発生するレーザ光の偏光方向を、量子細線110の長手方向と一致させることができる。また、隣合う量子細線110の中心間距離が、LD素子内における光の波長以下とされている。よって、レーザ光の発振横モードに高次モードが発生することがない。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に活性層を含む複数の層を積層してなり、その積層方向にレーザ共振が生じる半導体レーザ素子であって、該活性層に、光を閉じ込める複数の量子細線を該基板表面に沿って一列に有する量子細線列が、基板の厚み方向に1行または2行以上形成され、該量子細線列の隣合う量子細線の中心間距離が半導体レーザ素子内でのレーザ光の波長以下である半導体レーザ素子。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平3-283479
  
• 面発光レーザダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-203383   出願人：日本電信電話株式会社