特許

J-GLOBAL ID：200903094015044950

金属錯体色素、光電変換素子および光電池

発明者： 渡辺 哲也
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 高石 橘馬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-038421
公開番号（公開出願番号）：特開2002-105346
出願日： 2001年02月15日
公開日（公表日）： 2002年04月10日
要約：

【要約】【課題】 800nm以上の領域の波長の光を利用して半導体微粒子を効率良く増感できる金属錯体色素、およびこれを用いることにより高い変換効率を示す光電変換素子を提供する。【解決手段】 下記一般式(I)により表される配位子を含有する金属錯体色素によって増感された半導体微粒子を含むことを特徴とする光電変換素子。【化1】ただし一般式(I)中、nは0または1であり、R1〜R3は独立に置換基を表す。m1〜m3はそれぞれ0〜3の整数を表し、m1〜m3が2以上の場合、R1同士、R2同士、R3同士はそれぞれ同じでも異なっていてもよく、互いに結合して環を形成してもよい。V1〜V3は独立に水素または置換基を表すが、V1およびV2の少なくともひとつは下記一般式(II)により表される。【化2】一般式(II)中、L1およびL2はそれぞれ置換または無置換のメチン基であり、lは1〜5の整数を表す。V4はカルボキシル基、スルホン酸基、ホスホン酸基、りん酸基、珪酸基、ホウ酸基、水酸基、スクアリン酸基またはこれらのプロトン解離体である。

請求項（抜粋）：

下記一般式(I)により表される配位子を含有する金属錯体色素によって増感された半導体微粒子を含むことを特徴とする光電変換素子。【化1】ただし一般式(I)中、nは0または1であり、R1〜R3は独立に置換基を表す。m1〜m3はそれぞれ0〜3の整数を表し、m1〜m3が2以上の場合、R1同士、R2同士、R3同士はそれぞれ同じでも異なっていてもよく、互いに結合して環を形成してもよい。V1〜V3は独立に水素または置換基を表すが、V1およびV2の少なくともひとつは下記一般式(II)により表される。【化2】一般式(II)中、L1およびL2はそれぞれ置換または無置換のメチン基であり、lは1〜5の整数を表す。V4はカルボキシル基、スルホン酸基、ホスホン酸基、りん酸基、珪酸基、ホウ酸基、水酸基、スクアリン酸基またはこれらのプロトン解離体である。

IPC (4件)：

C09B 23/00 ,  H01L 31/04 ,  H01M 14/00 ,  C07F 15/00

FI (4件)：

C09B 23/00 L ,  H01M 14/00 P ,  C07F 15/00 A ,  H01L 31/04 Z

Fターム (14件)：

4H050AA01 ,  4H050AB99 ,  4H050WB19 ,  4H050WB21 ,  4H056CA03 ,  4H056CA05 ,  4H056CB06 ,  4H056CC01 ,  4H056CD02 ,  5F051AA11 ,  5F051AA14 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032EE16