特許

J-GLOBAL ID：200903094016424285

プラズマ処理方法及び装置

発明者： 奥村 智洋 ,  木村 忠司 ,  三橋 章男
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-354409
公開番号（公開出願番号）：特開平11-185993
出願日： 1997年12月24日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：

【要約】【課題】 均一で安定したプラズマを発生させることができ、かつ、処理速度の基板面内均一性の悪化や、固体材料のスパッタリングによる基板への不純物混入の原因となるようなホローカソード放電の発生を抑制できるプラズマ処理方法及び装置を提供する。【解決手段】 真空容器1内に、ガス供給ユニット2から所定のガスを導入しつつ、ポンプ3により排気を行い、真空容器1内を所定の圧力に保ちながら、アンテナ用高周波電源4により100MHzの高周波電力を誘電体窓5上に載置されたアンテナ6に供給するとともに、真空容器1の内壁の一部を構成している環状導電体10に正の直流電位を印加することにより、安定なプラズマを発生させ、電極7上に載置した基板8を処理する。

請求項（抜粋）：

真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、真空容器内に電磁波を放射することによって真空容器内にプラズマを発生させ、真空容器内の電極に載置された基板を処理するプラズマ処理方法であって、真空容器の内壁の一部を構成する環状導電体に正の直流電圧を印加することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (7件)：

H05H 1/46 ,  C23C 14/34 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31

FI (7件)：

H05H 1/46 A ,  C23C 14/34 T ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/302 B