特許

J-GLOBAL ID：200903094018979640

酸化物超電導導体およびその製造方法

発明者： 尾鍋 和憲 ,  飯島 康裕 ,  定方 伸行 ,  斉藤 隆 ,  河野 宰
出願人/特許権者： 超電導発電関連機器・材料技術研究組合
代理人 (1件)： 志賀 正武
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-184960
公開番号（公開出願番号）：特開平8-050822
出願日： 1994年08月05日
公開日（公表日）： 1996年02月20日
要約：

【要約】【目的】 本願発明は、中間層上に酸化物超電導層を成膜する場合に、従来よりも基材の温度管理が容易であって、臨界電流密度が高い酸化物超電導導体およびその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 本願発明は、基材Aと、この基材上に形成された中間層Bと、この中間層上に形成された酸化物超電導層Cとを具備してなる酸化物超電導導体において、前記基材Aが耐熱金属からなる多結晶構造であって、前記中間層BがY2O3で安定化されたイットリウム安定化ジルコニアからなり、前記中間層Bを構成するイットリウム安定化ジルコニア内にY2O3が、5.8モル%以上含有されてなるものである。

請求項（抜粋）：

基材と、この基材上に形成された中間層と、この中間層上に形成された酸化物超電導層とを具備してなる酸化物超電導導体において、前記基材が耐熱金属からなる多結晶構造であって、前記中間層がY2O3で安定化されたイットリウム安定化ジルコニアからなり、前記中間層を構成するイットリウム安定化ジルコニア内にY2O3が、5.8モル%以上含有されてなることを特徴とする酸化物超電導導体。

IPC (5件)：

H01B 12/06 ZAA ,  C01G 1/00 ZAA ,  C01G 3/00 ZAA ,  H01B 13/00 565 ,  C30B 29/22 501

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特開平1-027116