特許
J-GLOBAL ID：200903094020260319
誘電体膜の成膜方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北村 欣一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-276951
公開番号（公開出願番号）：特開平7-126845
出願日： 1993年11月05日
公開日（公表日）： 1995年05月16日
要約：
【要約】【目的】 ターゲットの経時変化がなく、絶縁破壊による異常放電やダストの発生や、ターゲットにひび割れを生じることなく、安定した高い成膜速度が得られ、かつリーク電流の小さい良質なセラミックスの誘電体膜を成膜することが出来る成膜方法。【構成】 印加電圧1.5Vで板厚方向に測定した電気抵抗が10Ω・cm以下のセラミックス材ターゲットを用いてスパッタリング法により誘電体膜を基板上に成膜する方法において、該ターゲット材に直流電力と高周波電力を重畳して印加してスパッタ成膜する。
請求項（抜粋）：
印加電圧1.5Vで板厚方向に測定した電気抵抗が10Ω・cm以下のセラミックス材ターゲットを用いてスパッタリング法により誘電体膜を基板上に成膜する方法において、該ターゲット材に直流電力と高周波電力を重畳して印加してスパッタ成膜することを特徴とする誘電体膜の成膜方法。
IPC (5件)：
C23C 14/34
, C23C 14/44
, H01L 21/203
, H01L 21/31
, H01L 21/314
