特許
J-GLOBAL ID:200903094020698268

半導体メモリ回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 藤巻 正憲
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-347552
公開番号(公開出願番号):特開平5-182472
出願日: 1991年12月27日
公開日(公表日): 1993年07月23日
要約:
【要約】【目的】 コンテント・アドレッサブル・メモリにおける消費電力の低減及び高速動作を可能にする。【構成】 データの読み出し書込用のRAM回路部1と、サーチ動作用のデータ一致判定回路部2と、アドレス線11と、一致線12と、ディジィット線13,14,19,20とを有する。ディジィット線はRAMデータ用ディジィット線13,14と、サーチデータ用ディジィット線19,20とに夫々独立して構成されている。これにより、ディジィット線に接続される拡散容量が減少し、動作速度が速くなる。また、各動作により、ディジィット線のプリチャージ方法を任意に設定することが可能となり、不要な回路を切り離して動作させることができる。この結果、消費電力が低減される。
請求項(抜粋):
ランダム・アクセス・メモリにメモリの保存内容と入力データを照合するサーチ機能を有したコンテント・アドレッサブル・メモリにおいて、データの読み出し書き出し用のRAM回路部と、サーチ動作用のデータ一致判定回路部と、前記RAM回路部及びデータ一致判定回路部に接続されるアドレス線、一致線及びディジィット線とを有し、前記ディジィット線はRAMデータ用ディジィット線とサーチデータ用ディジィット線とが相互に独立して構成されていることを特徴とする半導体メモリ回路。
IPC (2件):
G11C 15/04 ,  H01L 27/10 481

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