特許

J-GLOBAL ID：200903094020779241

ポリシリコンをバックエッチングするプロセス及びトレンチキャパシタの製造への応用

発明者： リル ソーステン ,  グリムバーゲン マイケル
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 中村 稔 (外9名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-568117
公開番号（公開出願番号）：特表2002-524851
出願日： 1999年08月20日
公開日（公表日）： 2002年08月06日
要約：

【要約】本発明は、ポリシリコンエッチングの用途に特定の組合わせのエッチングガスを使用することによって、実質的にフラットなエッチフロントが形成されるという我々の発見に関する。一般的に言えば、本発明のプロセスは、ポリシリコンのエッチバック中にエッチフロントの形状を制御するのに有用である。典型的には、プロセスは、ポリシリコンを選択的にエッチングする反応性種の特定の組合わせを含むプラズマ源ガスから発生させたプラズマを使用してポリシリコンを等方的にエッチングすることを含む。プラズマ源ガスは、約80体積%から約95体積%までのフッ素含有ガスと、約5体積%から約20体積%までの臭素含有ガス、塩素含有ガス、ヨウ素含有ガス、またはそれらの組合わせからなるグループから選択された添加ガスとを含む。基体内のポリシリコン充填トレンチの陥凹エッチバックを遂行するために使用される本発明の好ましい方法は、a)半導体構造内に形成されたトレンチを準備するステップを含み、この構造は基体、基体の表面上に重ねられた少なくとも1つのゲート誘電体層、及びゲート誘電体層上に重ねられた少なくとも1つのエッチバリヤー層を含み、b)エッチバリヤー層、及びトレンチの側壁及び底の上に重なるようにコンフォーマルな誘電体フィルムを形成するステップと、c)コンフォーマルな誘電体フィルム上に重なるようにポリシリコンの層でトレンチを充填するステップと、d)ポリシリコンを選択的にエッチングする反応性種を含むプラズマ源ガスから発生させたプラズマを使用してトレンチ内のポリシリコンを所定の深さまで等方的にエッチングするステップとを更に含み、このプラズマ源ガスは、約80体積%から約95体積%までのフッ素含有ガスと、約5体積%から約20体積%までの臭素含有ガス、塩素含有ガス、ヨウ素含有ガス、またはそれらの組合わせからなるグループから選択された添加ガスとを含んでいる。単結晶シリコン基体内にトレンチキャパシタを形成する方法も開示され、このトレンチキャパシタは誘電体カラー及び埋没ストラップを含む。

請求項（抜粋）：

ポリシリコンのエッチング中のエッチフロントの形状を制御するプロセスであって、前記ポリシリコンを選択的にエッチングする特定の反応性の種を含むプラズマ源ガスから発生させたプラズマを使用して前記ポリシリコンを等方的にエッチングすることを含み、前記プラズマ源ガスは、約80体積%から約95体積%までのフッ素含有ガスと、約5体積%から約20体積%までの臭素含有ガス、塩素含有ガス、ヨウ素含有ガス、またはそれらの組合わせからなるグループから選択された添加ガスとを含むことを特徴とするプロセス。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108

FI (2件)：

H01L 21/302 F ,  H01L 27/10 625 Z

Fターム (23件)：

5F004BA04 ,  5F004BB13 ,  5F004DA04 ,  5F004DA18 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA29 ,  5F004DB02 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004EA10 ,  5F004EA23 ,  5F004EA27 ,  5F004EB04 ,  5F004EB05 ,  5F083AD15 ,  5F083JA04 ,  5F083JA05 ,  5F083PR03 ,  5F083PR05 ,  5F083PR06 ,  5F083PR34 ,  5F083PR39