特許

J-GLOBAL ID：200903094021487937

アライメントマーク及びアライメントマークの形成方法

発明者： 納土 晋一郎 ,  小池 薫
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-185838
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015413
出願日： 1999年06月30日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：

【要約】【課題】 マークパターンの側壁面に形成される金属薄膜の膜厚の差に起因する、反射信号の強度分布の非対称性を抑制して、アライメントマークのエッジ部を精度良く検出することができるアライメントマーク及びアライメントマークの形成方法並びにアライメントマークの検出方法を提供する。【解決手段】 アライメントマーク10は、細分化されたスリット形状を有する微小パターン12、12a〜12dが規則的かつ近接して配列され、これら微小パターン12、12a〜12dの集合体により一単位の帯状のマークパターン11a〜11dが構成され、さらに、マークパターン11a〜11d相互を直交するように配置することにより、例えば、井桁形状のアライメントマーク10が構成される。

請求項（抜粋）：

試料表面に形成されたマークパターンに、前記試料よりも電子散乱断面積が大きい薄膜層を成膜して形成され、電子ビームによる位置合わせ処理に用いるアライメントマークにおいて、前記マークパターンは、前記試料表面に形成された複数の微小パターンの配列により帯状に構成され、かつ、該帯状に構成された前記マークパターン相互を、直交して配置したことを特徴とするアライメントマーク。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 504 ,  G03F 9/00

FI (3件)：

H01L 21/30 541 K ,  G03F 7/20 504 ,  G03F 9/00 H

Fターム (9件)：

2H097AA03 ,  2H097KA13 ,  2H097KA15 ,  2H097KA16 ,  2H097KA21 ,  2H097LA10 ,  5F056BD04 ,  5F056CC07 ,  5F056FA06