特許

J-GLOBAL ID：200903094024585697

低温焼成多層セラミック回路基板

発明者： 横地 正雄 ,  杉本 絹夫 ,  松本 明 ,  大友 省三
出願人/特許権者： 株式会社住友金属セラミックス
代理人 (1件)： 吉村 博文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-200497
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021264
出願日： 1992年07月03日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：

【要約】【目的】 コンパクトに内蔵でき、かつ高インダクタンスを有するインダクタを内蔵した低温焼成多層セラミック回路基板を提供する。【構成】 生基板にフェライト層を組み込むと共に、該フェライト層を該生基板と同時焼成して形成した構成と、該フェライト層の近傍にスパイラル状の導体回路を形成した構成よりなる。

請求項（抜粋）：

生基板にフェライト層を組み込むと共に、該フェライト層を該生基板と同時焼成して形成することを特徴とする低温焼成多層セラミック回路基板。