特許
J-GLOBAL ID：200903094032310320
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-069268
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321152
出願日： 1995年03月28日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：
【要約】【構成】 段差15を設け、基板配線23を有する基板12と、基板12の段差15に設けるフィルム配線22を有する可撓性フィルム21と、可撓性フィルム21と基板12とにまたがって設ける半導体装置11とを有し、半導体装置11の突起電極13が可撓性フィルム21のフィルム配線22と基板12の基板配線23とに接続する半導体装置およびその製造方法。【効果】 段差に可撓性フィルムを接着した構造により、半導体装置の突起電極と可撓性フィルムのフィルム配線を直接接続することができるため、従来のCOG法に比較して接続本数は同じで実装面積をより小さくすることができる。従来のTAB法に比較すると少ない半導体装置で多ピン接続が可能となる。一枚の可撓性フィルムで複数の半導体装置に対応することができる。
請求項（抜粋）：
段差を設け基板配線を有する基板と、段差上に設けるフィルム配線を有する可撓性フィルムと、可撓性フィルムと基板とにまたがって設ける半導体装置とを有し、半導体装置と可撓性フィルムとの隙間と半導体装置と基板配線との隙間に絶縁樹脂を有し、半導体装置の突起電極は可撓性フィルムのフィルム配線と基板の基板配線とに接続することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/60 311
, G02F 1/1345
, H05K 1/18
