特許
J-GLOBAL ID：200903094033849516

不揮発性半導体記憶装置およびその再書き込み方法

発明者：
田中 嗣彦

田中 嗣彦 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (3件)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  大塩 竹志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-261921
公開番号（公開出願番号）：特開2004-103089
出願日： 2002年09月06日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：
【課題】短時間で、隣接するしきい値電圧分布間のマージンを広くとる処理を行うことによりデータ保持特性を向上させる。【解決手段】それぞれ電荷蓄積層を有するメモリセルトランジスタが複数配設され、電荷蓄積層への電荷蓄積量を変えてメモリセルトランジスタのしきい値電圧を調整することによって、2または3以上の値を取るデータのうちの一つの値がメモリセルトランジスタへ書き込まれるメモリアレイ1に対して、各メモリセルトランジスタのしきい値電圧と、そのメモリセルトランジスタに書き込まれたデータ値に対応するしきい値電圧分布における中間値とを判定手段3によって比較する。しきい値電圧が中間値よりも低い場合には、そのメモリセルトランジスタのしきい値電圧を、しきい値電圧分布の最大値と中間値との差分値だけ高くするために、再書き込み手段3によって電荷蓄積層への電荷再注入を行う。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
複数のメモリセルが配設され、2または3以上の値を取る複数のデータのうち一つのデータを該メモリセル毎に記憶可能とする不揮発性半導体記憶装置において、 該一つのデータに対応した複数のメモリセルの記憶電圧分布の最大値と最小値間に設定される任意の基準値よりも、該メモリセルの記憶電圧が低いか否かを判定する判定手段と、 該判定手段による判定結果に応じて、二つのデータの記憶電圧分布間のマージンを広げるように、該メモリセルにデータを再書き込みする再書き込み手段とを備えている不揮発性半導体記憶装置。
IPC (1件)：
G11C16/02
FI (2件)：
G11C17/00 614 ,  G11C17/00 641
Fターム (5件)：
5B025AA01 ,  5B025AD04 ,  5B025AD05 ,  5B025AE04 ,  5B025AE08
引用特許：
審査官引用 (2件)

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