大面積の接続ポストと改良された外形を有する高電流容量半導体装置パッケ-ジとリ-ドフレ-ム

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊藤進
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-161451
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077588
出願日： 1999年04月30日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】大面積の接続ポストと改良された外形を有する高電流容量半導体装置パッケージとリードフレーム。【解決手段】ハイパワー半導体装置ダイ用のリードフレームは、3本の外部リード導体25,26,27を有し、外部リード導体は、それぞれダイのゲート、ドレン及びソース接点とすることができ、外方のリード導体2本は、くぼみ状に曲げたベント30,31によって、リード26の中心及びパッケージ20から離れるように曲げられ、これにより面28に沿う沿面距離32,33を増加させ、リード25及27と中心リード26の間のより高い電圧の使用を可能にしている。

請求項（抜粋）：

サイズを大きくすることなく電流容量を増加し半導体装置であって;該半導体装置は、リードフレームと、半導体装置ダイと、複数の結合ワイヤとを備え;前記リードフレームは、ダイ取付けパッドと複数の平行に離間した外部導体とを有する、薄く略々平坦な導電性本体を備え;前記複数の平行に離間した外部導体の少なくとも1つは、その一端に大きい結合ワイヤポストを有し、この結合ワイヤポストは前記ダイ取付けパッドの近くに位置しているがこれと離間し;前記ダイの底部は前記ダイ取付けパッドの頂面に固定され;複数の前記リードワイヤは、それらの一端で前記ダイの頂面と結合され、他の端で前記大きい結合ワイヤポストに結合され;前記大きい結合ワイヤポストは、前記リードフレームの幅の少なくとも約1/2倍の幅を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/48 , H01L 23/28 , H01L 23/50

FI (3件)：

H01L 23/48 G , H01L 23/28 A , H01L 23/50 S

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平2-087535
特開昭61-016554
特開平1-216608

前のページに戻る