特許
J-GLOBAL ID：200903094043599062
半導体力学量センサの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊藤 洋二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-170740
公開番号（公開出願番号）：特開平11-017196
出願日： 1997年06月26日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：
【要約】【課題】 貼り合わせ基板を用いて半導体加速度センサを形成する場合に、アンカー部形成領域上に段差を生じることなくポリシリコン薄膜の平坦化が行えるようにする。【解決手段】 加速度を受けて変位する梁構造体2をアンカー部3a、3cによって基板上に支持し、梁構造体2の可動電極7a〜7dに対向して固定電極9a〜9d、11a〜11dを基板上に固定してなる半導体加速度センサにおいて、アンカー部3a、3c、10a〜10d、12a〜12dのそれぞれを、図中の点線で示すように、複数の一定線幅のポリシリコン薄膜部を有して構成するようにする。この場合、それらのポリシリコン薄膜部を形成するための開口部の大きさが小さくなり、貼り合わせ用のポリシリコン薄膜を成膜してそれを平坦化するときに、アンカー部形成領域上に段差が生じないようにすることができる。
請求項（抜粋）：
基板(1)と、前記基板の上面において所定間隔を隔てた位置に第1のアンカー部(3a〜3d)によって支持され、可動電極(7a〜7d、8a〜8d)を有し、力学量により変位する梁構造体(2)と、前記基板の上面に第2のアンカー部(10a〜10d、12a〜12d、14a〜14d、16a〜16d)によって固定され、前記梁構造体の前記可動電極に対向して配置された固定電極(9a〜9d、11a〜11d、13a〜13d、15a〜15d)とを備えた半導体力学量センサの製造方法であって、第1の半導体基板(60)上に、犠牲層用薄膜(62)および絶縁体薄膜(64)を積層した後、前記第1、第2のアンカー部を形成する領域に開口部(65a’〜65c’)を形成する工程と、前記開口部および前記絶縁体薄膜の上に前記第1、第2のアンカー部を構成する膜(66)およびポリシリコン薄膜(68)を形成するとともに、前記ポリシリコン薄膜の表面を平坦化する工程と、前記平坦化されたポリシリコン薄膜の表面と第2の半導体基板とを貼り合わせる工程と、この後、所定領域の前記前記犠牲層用薄膜をエッチング除去して、前記第1の半導体基板に前記梁構造体および前記固定電極を形成する工程とを有し、前記開口部を形成する工程は、少なくとも前記第1のアンカー部を形成する領域に、所定幅の複数の開口部を形成するものであることを特徴とする半導体力学量センサの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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