特許

J-GLOBAL ID：200903094044257181

炭化珪素半導体装置およびその製造方法

発明者： 中村 俊一 ,  米澤 喜幸
出願人/特許権者： 富士電機ホールディングス株式会社
代理人 (1件)： 山本 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-114793
公開番号（公開出願番号）：特開2007-287992
出願日： 2006年04月18日
公開日（公表日）： 2007年11月01日
要約：

【課題】シリコン酸化膜を主成分とする酸化絶縁膜と炭化珪素半導体基板との界面における界面準位を低減して、チャネル移動度を改善してオン抵抗を小さくすることのできる炭化珪素半導体装置とその製造方法を提供すること。【解決手段】炭化珪素半導体基板表面にシリコン酸化膜を主成分とする酸化物層を形成する工程を含む炭化珪素半導体装置の製造方法において、前記工程が、前記炭化珪素半導体基板表面に前記酸化物層を堆積した後に、非酸化性雰囲気中で前記堆積酸化物層を融液状態にする温度に昇温した後、1140°C以下に急冷してシリコン酸化膜を主成分とする酸化物層を形成する工程である炭化珪素半導体装置の製造方法とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

炭化珪素半導体基板表面にシリコン酸化物を主成分とする酸化物層を形成する工程を含む炭化珪素半導体装置の製造方法において、前記工程が、前記炭化珪素半導体基板表面にシリコン酸化物を形成した後に、非酸化性雰囲気中で前記シリコン酸化物を結晶体を含まない融液状態にする温度に昇温した後、徐冷温度以下に急冷してシリコン酸化物を主成分とする酸化物層を形成する工程であることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/336

FI (7件)：

H01L21/316 X ,  H01L27/04 C ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 652K ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 658F

Fターム (38件)：

5F038AC03 ,  5F038AC15 ,  5F038AC18 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ16 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20 ,  5F058BA20 ,  5F058BB10 ,  5F058BC02 ,  5F058BF04 ,  5F058BF23 ,  5F058BF25 ,  5F058BH08 ,  5F058BH20 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA05 ,  5F140AA40 ,  5F140AC24 ,  5F140AC39 ,  5F140BA02 ,  5F140BA20 ,  5F140BC12 ,  5F140BD06 ,  5F140BE10 ,  5F140BE17 ,  5F140BE19 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF43 ,  5F140BG38 ,  5F140BH21 ,  5F140BH30 ,  5F140BH43 ,  5F140BH49 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ05 ,  5F140BK13