特許

J-GLOBAL ID：200903094045493423

ドライエッチング方法

発明者： 松田 出 ,  鈴木 正樹 ,  中山 一郎
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 石原 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-287605
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148466
出願日： 1994年11月22日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：

【要約】【目的】 被処理物のメタル膜の腐食を防止できると共に、アッシング残渣が生じないドライエッチング方法を提供する。【構成】 被処理物2に対し、塩素系ガスを用いて被処理物2のメタル膜のドライエッチングを行った後に、脱塩素水溶液97を用いてリンスし、次いで純水を用いてリンスし、乾燥させた後に、酸素プラズマアッシングすることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

被処理物に対し、塩素系ガスを用いて被処理物のメタル膜のドライエッチングを行った後に、脱塩素水溶液を用いてリンスし、次いで純水を用いてリンスし、乾燥させた後に、酸素プラズマアッシングすることを特徴とするドライエッチング方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-136855
  
• 特開昭59-161036
  
• 特開平1-302727