特許
J-GLOBAL ID：200903094052478200
半導体装置及び半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
畑 泰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-205569
公開番号（公開出願番号）：特開平10-050895
出願日： 1996年08月05日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 電気テストの際の測定用ソケットのへの挿入を確実にして接続不良の発生を防止できるような製造方法を提供する。【解決手段】 半導体チップ1aを導体パターン32を含む薄膜体8aに接合する。その後これらを樹脂封止し、薄膜体から、最終パッケージの外形境界線6aに沿って同時に切断する。樹脂封止部13Cと薄膜体8Cの端面部とが同一平面であるため測定用ソケットへの挿入時に障害がなく、また、半導体装置がパッケージ外形境界線に沿って確実に切断されているため挿入時の位置合わせも正確になる。
請求項（抜粋）：
半導体チップと該半導体チップの表面に複数の電極パッド部を含む導体パターンが形成されている薄膜体とが積層され、且つ該導体パターンが存在する面とは反対側の該薄膜体の面と、該面に接触する半導体チップとが樹脂封止された半導体装置であって、当該半導体装置の周縁側面においては、当該封止樹脂の形成する表面と該薄膜体の端縁部表面とが同一表面上に形成されている事を特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/28 Z
, H01L 21/56 R
