特許
J-GLOBAL ID：200903094053617956
透明導電膜、その形成方法および透明導電膜の加工方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-259788
公開番号（公開出願番号）：特開平7-114841
出願日： 1993年10月18日
公開日（公表日）： 1995年05月02日
要約：
【要約】【目的】 ITO膜/Ag膜/ITO膜の3層構造からなる低抵抗の透明導電膜を提供しようとするものである。【構成】 ITO膜/Ag膜/ITO膜の3層構造からなり、真空下にて200〜500°Cで熱処理してなることを特徴としている。
請求項（抜粋）：
インジウム-スズ酸化膜、銀膜およびインジウム-スズ酸化膜の3層構造からなり、真空下にて200〜500°Cで熱処理してなる透明導電膜。
IPC (3件)：
H01B 13/00 503
, C01G 19/00
, C03C 17/36
