特許
J-GLOBAL ID：200903094056566333
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-047321
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244187
出願日： 1993年02月12日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：
【要約】【構成】 半導体基板11に拡散層13を形成し、半導体基板上に層間膜15を形成し、この層間膜上にコンタクトホール17を形成する工程と、第1のアルミ配線19を形成する工程と、第1のアルミ配線上に層間絶縁膜29を形成する工程と、コンタクトホール形成箇所の上部の層間絶縁膜にスルーホール31を形成する工程と、スルーホール内に選択的に金属膜33を形成する工程と、金属膜上に第2のアルミ配線35を形成する工程とを有する。【効果】 金属膜と第1のアルミ配線との接触面増加し、金属膜と第1のアルミ配線との接着強度が向上し、接続抵抗を低くすることができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板に拡散層を形成し、半導体基板上に層間膜を形成し、この層間膜上にコンタクトホールを形成する工程と、第1のアルミ配線を形成する工程と、第1のアルミ配線上に層間絶縁膜を形成する工程と、コンタクトホール形成箇所の上部の層間絶縁膜にスルーホールを形成する工程と、スルーホール内に選択的に金属膜を形成する工程と、金属膜上に第2のアルミ配線を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/90
