特許

J-GLOBAL ID：200903094061801723

プラズマCVD装置及び酸化膜の成膜方法

発明者： 工藤 豊 ,  蜂谷 昌幸 ,  大山 勝美 ,  斉藤 政良 ,  本間 喜夫
出願人/特許権者： 日立電子エンジニアリング株式会社 ,  株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 梶山 佶是 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-298044
公開番号（公開出願番号）：特開平10-125669
出願日： 1996年10月22日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：

【要約】【課題】 高い膜質改善効果を有するプラズマCVD装置を提供する。【解決手段】 上部電極及び下部電極を有するプラズマCVD装置の反応室内に反応ガスを送入し、これらのガスをプラズマ雰囲気下で反応させることにより基板上に酸化膜を生成する際、有機シラン材料としてのトリエトキシシラン、テトラエチルオルソシリケート又はトリメトキシシランのいずれか一方と、酸化剤としての亜酸化窒素(N2O)又は酸素のいずれか一方からなる反応ガスを送入し、更に、アルゴン(Ar)ガスとアンモニア(NH3)ガス又はヒドラジン(N2H4)ガスを同時に又は何れか一方を前記反応ガスに添加し、前記上部電極に27MHz以上100MHz以下の範囲内の周波数を有する電圧を印加し、前記下部電極に300KHz以上13.56MHz以下の範囲内の周波数を有するバイアス電圧を印加することにより該添加ガスのイオンを基板に加速入射させる。

請求項（抜粋）：

反応室を有するプラズマCVD装置において、前記反応室内に、高周波電源に接続された上部電極と、高周波バイアス電源に接続された下部電極とを有し、前記反応室内に、有機シラン材料としてのトリエトキシシラン、テトラエチルオルソシリケート又はトリメトキシシランのいずれか一方と、酸化剤としての亜酸化窒素(N2O)又は酸素のいずれか一方からなる反応ガスを送入し、更に、アルゴン(Ar)ガスとアンモニア(NH3)ガス又はヒドラジン(N2H4)ガスを同時に又は何れか一方を前記反応ガスに添加する手段を有することを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (5件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/18 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/316

FI (5件)：

H01L 21/31 C ,  C23C 16/18 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/316 X