半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-298798
公開番号（公開出願番号）：特開平7-153802
出願日： 1993年11月30日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：

【要約】【目的】コンタクトホールやスルーホール等の開口時に使用する等方性エッチングのエッチング量を顕微鏡により目視でモニタする。【構成】4μmのスルーホールを縦方向に6μmの等間隔で、横方向に1μmから5μmまで1μmステップの間隔で形成された等方性エッチングのモニターパターン1をスクライブ線上に持つレチクルを用いて、スルーホールのPRを行なった後、等方性エッチングを用いてスルーホールのエッチングを行う。PR、およびエッチング後のチェックパターンは円形となり、等方性エッチングのエッチング量に見合った間隔のチェックパターンは点で接触するが、チェックパターンが行列状に配置されている為に視認性がよく、容易に顕微鏡を用いて目視で、エッチング量の検出が可能である。

請求項（抜粋）：

一直線上に多数のパターンを、ピッチ寸法を所定値だけ順次増加させて配列してなるパターン群を、互いに並行して複数形成したテストパターンが、半導体基板上に備えられたことを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭64-007043
特開昭53-108772

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