特許

J-GLOBAL ID：200903094067652754

半導体装置の製造方法

発明者： 笠井 浩二 ,  浦山 健一朗 ,  矢野 義明
出願人/特許権者： 日本無線株式会社
代理人 (1件)： 吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-091160
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284368
出願日： 2000年03月29日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：

【要約】【課題】 高温処理に適し、所望の寸法の半導体装置を製造する製造方法を提供する。【解決手段】 WSiNを成膜し(工程S12)、このWSiN膜をエッチングし(工程S14)、ダミーパターンを形成する。WSiNは耐熱性金属なので、ダミーパターンを形成した状態で高温熱処理(工程S20)を行なうことができる。また、ダミーパターンを選択的に除去する工程(工程S24)では、ダミーパターンの材料は周囲の材料、即ち、SiO2との選択比が高いので、SiO2の形状をほとんど変えることなく、ダミーパターンを選択的に除去することができる。この結果、所望の寸法の半導体装置を製造することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にW、Mo、Ti、Ta又はこれらの化合物から選択される耐熱性金属を成膜する金属成膜工程と、前記成膜された耐熱性金属をエッチングしてダミーパターンを形成するダミーパターン形成工程と、を含む半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301

FI (3件)：

H01L 21/28 F ,  H01L 21/28 301 H ,  H01L 29/80 F

Fターム (20件)：

4M104AA05 ,  4M104CC03 ,  4M104DD03 ,  4M104DD08 ,  4M104DD15 ,  4M104DD65 ,  4M104FF07 ,  4M104GG12 ,  4M104HH14 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GR04 ,  5F102GS04 ,  5F102HA05 ,  5F102HA06 ,  5F102HC16 ,  5F102HC18 ,  5F102HC21