特許

J-GLOBAL ID：200903094067881206

半導体装置、そのテスト方法、およびその基準電圧補正方法

発明者： 森 修三
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-050349
公開番号（公開出願番号）：特開2004-260032
出願日： 2003年02月27日
公開日（公表日）： 2004年09月16日
要約：

【課題】ヒューズブロー装置を用いずに基準電圧発生回路の補正値を半導体装置内に記録し、テスト効率を大幅に向上させる。【解決手段】本発明の半導体装置11は、識別用IDを保持するID保持手段19と、トリミングによって基準電圧14を変更して出力する基準電圧発生手段15と、識別用IDと同じ値を持つ確認用ID20と補正値21とが記憶されている不揮発性メモリ部23と、基準電圧14をあらかじめ定められた検索手順にしたがって変更し、そのたびに不揮発性メモリ部23から確認用ID20を読み出し、これを識別用IDと比較してこれらが一致した時に不揮発性メモリ部23から補正値21を読み出し、これによって基準電圧14を所望の値に設定するよう動作する基準電圧補正手段17と、を有する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

あらかじめ定められたビットパターンである識別用IDを保持するID保持手段と、 トリミングによって基準電圧を変更して出力する基準電圧発生手段と、 前記識別用IDと同じ値を持つ確認用IDおよび前記基準電圧を所望の値に設定するための補正値が、複数の不揮発性メモリセルの一部に記憶され、前記基準電圧発生手段からの前記基準電圧が供給されている不揮発性メモリ部と、 前記基準電圧発生手段から出力される前記基準電圧をあらかじめ定められた検索手順に従って変更するためのトリミング値を生成し、このトリミング値によって前記基準電圧発生手段から出力される前記基準電圧が変更されるたびに前記不揮発性メモリ部から前記確認用IDを読み出し、この読み出された前記確認用IDを前記ID保持手段が保持する前記識別用IDと比較し、これが一致した場合に前記不揮発性メモリ部から前記補正値を読み出し、この読み出された前記補正値によって前記基準電圧発生手段が前記基準電圧を所望の値に設定する基準電圧補正手段と、 を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L21/822 ,  G01R31/28 ,  H01L27/04

FI (4件)：

H01L27/04 V ,  H01L27/04 T ,  H01L27/04 B ,  G01R31/28 U

Fターム (15件)：

2G132AA11 ,  2G132AC03 ,  2G132AD01 ,  2G132AG01 ,  2G132AK09 ,  2G132AL09 ,  5F038BB01 ,  5F038BB07 ,  5F038DF05 ,  5F038DF11 ,  5F038DT04 ,  5F038DT12 ,  5F038DT13 ,  5F038DT17 ,  5F038EZ20