特許
J-GLOBAL ID：200903094069385486
カーボンナノチューブのパターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-337441
公開番号（公開出願番号）：特開2002-234000
出願日： 2001年11月02日
公開日（公表日）： 2002年08月20日
要約：
【要約】【課題】 カーボンナノチューブ膜の微細なパターン形成を容易に行うことができるとともに、平坦性が良くまたパターン端部の形状が良好で、素子間の絶縁における信頼性が向上したカーボンナノチューブパターンを形成することができる方法を提供する。【解決手段】 転写法によるカーボンナノチューブ6をウエットエッチングしてパターンを形成するに当たり、ウエットエッチングに用いる溶液として転写法に用いたバインダーを溶解する溶液を用いるとともに、ウェットエッチングの際には絡まりあったカーボンナノチューブを布状物質12によって擦り落とす。また、カーボンナノチューブをドライエッチング法を用いてパターンを形成するに当たり、マスクとして金属膜またはドライエッチング時にダメージを受けない物質であり、除去時にカーボンナノチューブにダメージを与えない物質の膜を用いる。
請求項（抜粋）：
基板上に、もしくは表面の少なくとも一部に薄膜が施された基板上に固着した、バインダーを含む絡まりあったカーボンナノチューブを、所定のパターンに形成したマスクを介して除去することによりカーボンナノチューブのパターンを形成する方法であって、カーボンナノチューブの除去に前記バインダーを溶解する溶液を用いるとともに、前記絡まりあったカーボンナノチューブを擦り落とすことを特徴とするカーボンナノチューブのパターン形成方法。
IPC (3件)：
B82B 3/00
, H01J 9/02
, C01B 31/02 101
B82B 3/00
, H01J 9/02 B
, C01B 31/02 101 Z
