特許

J-GLOBAL ID：200903094069986978

半導体積層構造及びその製造方法

発明者： 小林 康之 ,  日比野 浩樹 ,  赤坂 哲也 ,  牧本 俊樹
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (2件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-160276
公開番号（公開出願番号）：特開2007-329354
出願日： 2006年06月08日
公開日（公表日）： 2007年12月20日
要約：

【課題】六方晶窒化ホウ素単結晶膜を有する半導体積層構造及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る半導体積層構造は、SiC単結晶基板と、その基板の表面に形成されたグラファイト層と、そのグラファイト層上に形成された六方晶窒化ホウ素単結晶膜とを備える。また、この半導体積層構造は、SiC単結晶基板の所定の面の、少なくとも最表面のSiを蒸発させて、前記SiC単結晶基板とグラファイト層との積層を形成する工程と、前記グラファイト層上に六方晶窒化ホウ素単結晶膜をヘテロエピタキシャル成長させる工程とを有する製造方法により製造することができる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

SiC単結晶基板と、 該基板の表面に形成されたグラファイト層と、 該グラファイト層上に形成された六方晶窒化ホウ素単結晶膜と を備えることを特徴とする半導体積層構造。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/30

FI (3件)：

H01L21/205 ,  H01L33/00 A ,  H01S5/30

Fターム (28件)：

5F041AA31 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F045AA04 ,  5F045AB15 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AE25 ,  5F045AF02 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA61 ,  5F045HA06 ,  5F173AG11 ,  5F173AH28 ,  5F173AH49 ,  5F173AP05 ,  5F173AP61 ,  5F173AQ12 ,  5F173AQ14 ,  5F173AR99