特許

J-GLOBAL ID：200903094070216736

荷電粒子線露光方法、レチクル及びデバイス製造方法

発明者： 沖野 輝昭
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 渡部 温 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-258612
公開番号（公開出願番号）：特開2002-075830
出願日： 2000年08月29日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】【課題】 高いパターン寸法精度を達成でき、コストを低く抑えることのできる荷電粒子線露光方法等を提供する。【解決手段】 感応基板上に形成すべき設計パターンを設定(S21)し、それについて近接効果補正のためのパターン形状補正を計算する(S22)。次に、上記パターン形状補正の計算結果を参考にしてレチクルパターンデータを作製する(S23)。そのレチクルパターンデータをもとに実際に使用するレチクルを作製する(S24)。この際、可変成形ビーム式の電子線描画装置を用い、ドーズ調整を施す。

請求項（抜粋）：

感応基板上の特定範囲に転写すべきデバイスパターンをレチクル上に形成し、前記レチクルを荷電粒子線ビームで照明し、前記レチクルを通過又は反射した荷電粒子線ビームを前記感応基板に当てることにより前記パターンを前記感応基板上の特定範囲に転写する荷電粒子線露光方法であって;前記転写露光時における近接効果により発生するパターン寸法誤差を補正するために前記レチクル上のパターン要素の線幅を本来の設計値から補正(リサイズ)するにあたって、前記レチクル描画の際のドーズ量を制御することにより前記線幅を補正することを特徴とする荷電粒子線露光方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/20 504 ,  H01J 37/305

FI (4件)：

G03F 1/08 A ,  G03F 7/20 504 ,  H01J 37/305 B ,  H01L 21/30 541 S

Fターム (12件)：

2H095BA08 ,  2H095BB01 ,  2H097BB01 ,  2H097CA16 ,  2H097LA10 ,  5C034BB05 ,  5F056AA22 ,  5F056AA30 ,  5F056CA13 ,  5F056CD11 ,  5F056FA05 ,  5F056FA08