特許

J-GLOBAL ID：200903094073011639

マグネトロンプラズマCVD装置

発明者： 銭谷 利宏 ,  日比野 直樹 ,  稲川 幸之助 ,  太田 賀文 ,  清水 昭
出願人/特許権者： 日本真空技術株式会社
代理人 (1件)： 北村 欣一 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-224816
公開番号（公開出願番号）：特開平11-061416
出願日： 1997年08月21日
公開日（公表日）： 1999年03月05日
要約：

【要約】【解決手段】 フィルムを巻き取りながら成膜するマグネトロンプラズマCVD装置において、真空槽内に成膜部である主ローラー及び陽極を互いに対向して配置し、この主ローラーの内部に磁気回路を固定して配置し、主ローラーのみが回転するようにし、該主ローラー上を走行するフィルム上にプラズマ発生により成膜するに際して、該主ローラー内部の磁気回路部の雰囲気をプラズマ放電領域と異なる雰囲気とした。【効果】 巻取成膜を行う場合に、プラズマ放電を防ぎ、成膜性能を維持することが可能となるとともに、主ローラー上を主ローラーと一緒に走行するフィルム上へ常に一定の膜厚で成膜することが可能になる。

請求項（抜粋）：

基材を巻き取りながら成膜するマグネトロンプラズマCVD装置において、真空槽内に成膜部である主ローラー及び陽極が互いに対向して配置され、該主ローラーの内部に磁気回路が設けられ、該主ローラー上を走行する基材上にプラズマ発生により成膜するに際し、該磁気回路がプラズマにさらされないように、該主ローラー内部の領域がプラズマ発生領域と異なる雰囲気とされていることを特徴とするマグネトロンプラズマCVD装置。

IPC (6件)：

C23C 16/50 ,  C23C 14/35 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/31

FI (6件)：

C23C 16/50 ,  C23C 14/35 C ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/31 C