特許
J-GLOBAL ID：200903094074637531
薄膜形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-024190
公開番号（公開出願番号）：特開平8-217595
出願日： 1995年02月13日
公開日（公表日）： 1996年08月27日
要約：
【要約】【目的】 絶縁性の基板上に結晶性の良好なBCN薄膜を形成できる薄膜形成方法を提供する。【構成】 六方晶系チッ化ホウ素(h-BN)からなる絶縁基板、又は導電性基材上に膜厚10nm以上のh-BN絶縁薄膜からなる中間層を形成した基板上に、1層以上のBx Cy Nz (ここでx,y,zは0〜1)で表される層状結晶構造の薄膜を形成する。
請求項（抜粋）：
基板上に1層以上のBx Cy Nz (ここでx,y,zは0〜1)で表される層状結晶構造の薄膜を形成するにあたり、前記基板として六方晶系チッ化ホウ素を用いることを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B 25/18
, C30B 29/38 B
