特許

J-GLOBAL ID：200903094074814530

PZT系膜体及びPZT系膜体の製造方法

発明者： 井関 隆之 ,  荘 曜暢 ,  菅野 泰弘 ,  奥村 実紀雄
出願人/特許権者： 日本ビクター株式会社
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-010451
公開番号（公開出願番号）：特開2003-212545
出願日： 2002年01月18日
公開日（公表日）： 2003年07月30日
要約：

【要約】【課題】 圧電特性の良いPZT系膜体を提供する。【解決手段】 基板上に添加物を含んだPZT系膜を真空成膜したPZT系膜体であって、前記添加物は、V,Nb,Re,C,N,BNの少なくとも1種類であることを特徴とするPZT系膜体である。

請求項（抜粋）：

基板上に添加物を含んだPZT系膜を真空成膜したPZT系膜体であって、前記添加物は、V,Nb,Re,C,N,BNの少なくとも1種類であることを特徴とするPZT系膜体。

IPC (5件)：

C01G 25/00 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/34 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/24

FI (5件)：

C01G 25/00 ,  C23C 14/08 K ,  C23C 14/34 M ,  H01L 41/18 101 Z ,  H01L 41/22 A

Fターム (13件)：

4G048AA03 ,  4G048AB01 ,  4G048AC01 ,  4G048AD02 ,  4G048AE05 ,  4K029AA06 ,  4K029BA50 ,  4K029BB02 ,  4K029CA06 ,  4K029DC05 ,  4K029DC35 ,  4K029DC39 ,  4K029GA01