特許
J-GLOBAL ID:200903094090663640

バリヤ層を有するコンデンサ及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山口 巖
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-275534
公開番号(公開出願番号):特開平11-163276
出願日: 1998年09月29日
公開日(公表日): 1999年06月18日
要約:
【要約】【課題】 高ε誘電性又は強誘電性のコンデンサ誘電体の下方の酸素不透過性のバリヤ層により深いところにある構造、特にコンデンサ誘電体の酸化を阻止し、僅かな所要面積で高い容量を有するコンデンサを提供する。【解決手段】 コンデンサ誘電体12の下に主として遷移元素とリン、硫黄又はヒ素とによる化合物から成るバリヤ層10を設ける。
請求項(抜粋):
直接又は接続構造(7)を介して半導体基板(1)内のドープ領域(3)と接続されている第1の電極(11)と、第2の電極(13)と、第1及び第2の電極を互いに絶縁するコンデンサ誘電体(12)と、主として遷移元素とリン、硫黄又はヒ素との化合物から成り、コンデンサ誘電体(12)の下に配設されているバリヤ層(10)とを有する半導体集積回路のコンデンサ。
IPC (4件):
H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242
FI (3件):
H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 621 Z ,  H01L 27/10 651

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