特許

J-GLOBAL ID：200903094097454566

ビス(p-tert-ブトキシフェニル)スルホキシド

発明者： 大澤 洋一 ,  島田 順次 ,  渡辺 聡 ,  竹田 好文
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 小島 隆司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-026171
公開番号（公開出願番号）：特開平7-215930
出願日： 1994年01月28日
公開日（公表日）： 1995年08月15日
要約：

【要約】【構成】 下記式(1)で表わされるビス(p-tert-ブトキシフェニル)スルホキシド。【化1】【効果】 遠紫外線、エキシマレーザー、電子線、X線などの高エネルギー線を用いたリソグラフィーにおいて、化学増幅ポジ型レジストの一成分である酸発生剤として高い感光性を持つスルホニウム塩が使用されており、このスルホニウム塩は高エネルギー線により酸を発生し、次に加熱により触媒的な二次反応を引き起こすが、それ自身に酸不安定基、例えばtert-ブトキシ基を導入することにより高エネルギー線照射部、未照射部における溶解速度差を大きくすることができ、リソグラフィー技術にとって非常に重要である。本発明のビス(p-tert-ブトキシフェニル)スルホキシドは、上記のような酸発生剤を有するスルホニウム塩の中間体として有用であり、本発明のスルホキシドを中間体として用いることにより、p-tert-ブトキシフェニル基を少なくとも2つ持つスルホニウム塩を合成することができる。

請求項（抜粋）：

下記式(1)で表わされるビス(p-tert-ブトキシフェニル)スルホキシド。【化1】