特許

J-GLOBAL ID：200903094099023147

窒化物系半導体の気相成長方法とそれを用いた窒化物系半導体エピタキシャル基板並びに自立基板、及び半導体装置

発明者： 津田 道信 ,  岩谷 素顕 ,  上山 智 ,  天野 浩 ,  赤崎 勇
出願人/特許権者： 学校法人 名城大学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-049183
公開番号（公開出願番号）：特開2007-227803
出願日： 2006年02月24日
公開日（公表日）： 2007年09月06日
要約：

【課題】MOVPE法による窒化物系半導体のエピタキシャル成長速度を高める新たなエピタキシャル成長方法を提供すること。【解決手段】MOVPE法において一定条件下でV/III比を下げることにより、10μm/Hr以上の成長速度が得られ、またこれをr面サファイア基板上のa面窒化物系半導体層の成長に適用することにより、a面窒化物系半導体を用いた発光素子および電子走行素子への応用を行うこと。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

主面をr面とするサファイア基板上に、主面をa面とする窒化物系半導体層を形成する窒化物系半導体気相成長方法において、アルミニウム、ガリウム、インジウムの少なくとも一つを含む原料ガスに対するアンモニアのモル流量比を0.01〜100の範囲とすることを特徴とする窒化物系半導体気相成長方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/38 ,  C30B 25/16 ,  C30B 25/18 ,  H01L 33/00

FI (6件)：

H01L21/205 ,  C30B29/38 D ,  C30B29/38 C ,  C30B25/16 ,  C30B25/18 ,  H01L33/00 C

Fターム (45件)：

4G077AA03 ,  4G077AB02 ,  4G077AB03 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EF01 ,  4G077EH09 ,  4G077FJ03 ,  4G077FJ06 ,  4G077HA02 ,  4G077TA04 ,  4G077TB05 ,  4G077TC01 ,  4G077TC10 ,  4G077TC14 ,  4G077TC19 ,  4G077TJ02 ,  4G077TK11 ,  5F041AA31 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF05 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045CA10 ,  5F045EB15 ,  5F045EE03 ,  5F045EE12 ,  5F045EE17 ,  5F045EK08 ,  5F045GB19

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 有機金属気相成長方法及び有機金属気相成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-226218   出願人：株式会社日立製作所
• GaN系半導体層の成長方法およびそれを用いた半導体基板の製造方法、半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-085155   出願人：古河機械金属株式会社