機械的特性が改善された多孔性低k層を有するダマシン相互接続

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (4件)：熊倉禎男 , 大塚文昭 , 須田洋之 , 上杉浩
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-502996
公開番号（公開出願番号）：特表2009-532866
出願日： 2007年03月28日
公開日（公表日）： 2009年09月10日
要約：

【課題】集積回路に向けたシングル及びデュアルダマシン相互接続に関する技術を提供する。【解決手段】ダマシン相互接続を製作する方法。本方法は、基板上に多孔性誘電体層を形成する段階、及び誘電体層内に少孔性誘電体副層を定めるために多孔性誘電体層の上部部分の中にポロゲン材料を与える段階によって開始される。キャップ層が少孔性誘電体副層上に形成され、第1の相互接続開口部を定めるためにキャップ層の上にレジストパターンが形成される。キャップ層及び誘電体層は、レジストパターンを通じてエッチングされ、第1の相互接続開口部を形成する。レジストパターンが除去され、第1の相互接続開口部を導電材料で充填することによって相互接続が形成される。余分な導電材料を除去するために、相互接続が平坦化される。【選択図】図9

請求項（抜粋）：

ダマシン相互接続を作製する方法であって、 (a)基板上に多孔性誘電体層を形成する段階、 (b)前記多孔性誘電体層の上部部分内にポロゲン材料を与えて、前記誘電体層内に少孔性誘電体副層を定める段階、 (c)前記少孔性誘電体副層上にキャップ層を形成する段階、 (d)第1の相互接続開口部を定めるために前記キャップ層の上にレジストパターンを形成する段階、 (e)前記第1の相互接続開口部を形成するために、前記レジストパターンを通して前記キャップ層及び前記誘電体層をエッチングする段階、 (f)前記レジストパターンを除去する段階、 (g)前記第1の相互接続開口部を導電材料で充填することによって相互接続を形成する段階、及び (h)余分な導電材料を除去するために前記相互接続を平坦化する段階、を含むことを特徴とする方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 , H01L 23/522

FI (2件)：

H01L21/90 N , H01L21/90 A

Fターム (32件)：

5F033GG01 , 5F033GG02 , 5F033GG03 , 5F033GG04 , 5F033KK08 , 5F033KK09 , 5F033KK11 , 5F033KK12 , 5F033MM02 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ09 , 5F033QQ13 , 5F033QQ25 , 5F033QQ28 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ49 , 5F033QQ60 , 5F033QQ74 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033RR11 , 5F033RR21 , 5F033RR25 , 5F033RR29 , 5F033SS11 , 5F033SS22 , 5F033TT02 , 5F033TT04

引用特許：

出願人引用 (1件)

米国特許第5、362、526号

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