特許
J-GLOBAL ID：200903094104514030
表面弾性波を増幅するための積層構造及び増幅器
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-028261
公開番号（公開出願番号）：特開平10-284762
出願日： 1995年02月16日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：
【要約】【目的】 圧電体基板の上に高キャリア移動度を有する半導体活性層を形成することにより、低電圧でしかも大きな増幅度が生ずる表面弾性波増幅器を得る。【構成】 圧電体基板1とその上の半導体緩衝層2と、膜厚が5nm以上500nm以下である半導体活性層3からなる。また、該半導体緩衝層の格子定数が半導体活性層の格子定数と同じか、もしくは近い値を有していることを特徴とする。さらに、本発明の表面弾性波増幅器は、圧電体基板の上に、すだれ状の入出力電極4、5を形成し、両電極の間に前記積層構造6が配置され、半導体活性層に電極7を備えている。
請求項（抜粋）：
圧電体基板の上に、半導体緩衝層を介して半導体活性層があり、膜厚h1 が、5nm≦h1 ≦500nmの半導体活性層が積層されており、該半導体緩衝層を構成する結晶の格子定数が、半導体活性層を構成する結晶の格子定数と同じか、もしくは近い値を有していることを特徴とする積層構造。
IPC (6件)：
H01L 41/08
, H01L 21/203
, H01L 41/083
, H03F 13/00
, H03H 3/08
, H03H 9/25
H01L 41/08 D
, H01L 21/203 M
, H03F 13/00
, H03H 3/08
, H03H 9/25 C
, H03H 9/25 E
, H01L 41/08 S
