特許

J-GLOBAL ID：200903094108903171

半導体レーザ素子及びその製造方法

発明者： 田中 俊明
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 薄田 利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-039497
公開番号（公開出願番号）：特開平7-249824
出願日： 1994年03月10日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：

【要約】【目的】面発光型半導体レーザ素子の電流密度及び素子抵抗を低減する。【構成】半導体基板1上の中央部(領域II)に光注入励起によって発振する垂直共振器構造をもつ面発光半導体レーザを形成し、同一基板1上の面発光半導体レーザを挟んだ位置(領域I)に上記面発光半導体レーザに光注入励起を行う横共振器構造をもつ半導体レーザを集積化した。【効果】面発光半導体レーザは室温で容易に連続動作させることができた。全体の素子抵抗は、領域Iの横方向共振器DFBレーザに依存し、2〜5Ωの範囲、閾値電流密度は0.5〜0.9kA/cm2の範囲であった。高温動作については、領域IのDFBレーザが発振可能な温度まで動作でき、領域IIの面発光レーザは100°Cまでの連続動作が達成された。

請求項（抜粋）：

電流注入あるいは光注入励起によって発振する垂直共振器構造をもつ面発光型半導体レーザと、上記面発光型半導体レーザに光注入励起を行なう横方向共振器構造をもつ横方向共振器型半導体レーザとが同一半導体基板上に集積して形成されたことを特徴とする半導体レーザ素子。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-125670
  
• 特開平4-167484
  
• 特開平4-273492