特許
J-GLOBAL ID：200903094109169021
薄膜トランジスタの特性検査装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-278621
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090373
出願日： 1991年09月30日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：
【要約】【目的】 ドレン電極に容量素子が接続された薄膜トランジスタ(TFT)の特性を、TFTに悪影響を与える事なく簡単で再現性良く確実に検査できる特性検査装置を提供すること。【構成】 ドレン電極4に容量素子7が接続されているTFTのゲート電極2にドライブパルスおよびテストパルスを出力する検査信号発生部5と、ドレン電極4に接続されている容量素子7に電荷を充電するための試験電圧を前記ドライブパルスのタイミングと同期してソース電極3に出力する試験電圧発生部6と、前記ゲート電極2に出力されるテストパルスのタイミングにより前記ソース電極3に放電される前記容量素子7に蓄えられていた電荷を検出する電圧検出部8とを具備する。
請求項（抜粋）：
ドレン電極に容量素子が接続されている薄膜トランジスタの特性検査装置であって、前記薄膜トランジスタのゲート電極にドライブパルスおよびテストパルスを出力する検査信号発生部と、前記容量素子に電荷を充電するための試験電圧を前記ドライブパルスのタイミングと同期して前記薄膜トランジスタのソース電極に出力する試験電圧発生部と、前記ゲート電極に出力されるテストパルスのタイミングにより前記ソース電極に放電される前記容量素子に蓄えられていた電荷を検出する電圧検出部とを具備したことを特徴とする薄膜トランジスタの特性検査装置。
引用特許：
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