特許

J-GLOBAL ID：200903094109180475

パターン形成方法

発明者： 鳥海 実
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-074986
公開番号（公開出願番号）：特開平10-268520
出願日： 1997年03月27日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：

【要約】【課題】短い露光波長で微細パターンを形成できるパターン形成方法を提供する。【解決手段】一般式(1)で示されるポリ(シルセスキオキサン)化合物と酸発生剤,架橋剤からなるレジスト薄膜を被加工基板上に形成し、上記薄膜を活性光線または放射線でパターン露光する。【化1】

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示されるポリ(シルセスキオキサン)化合物【化1】(但し、一般式(1)中R1 ,R2 は同一又は異なる有機基、nは重合度)を10〜90重量%,活性光線または放射線の照射により強酸を発生し得る化合物を0.01 〜20重量%,架橋剤を5〜60重量%含む感光性組成物からなるレジスト薄膜を被加工基板上に形成し、上記薄膜に活性光線または放射線を照射することを特徴とするパターン形成方法。

IPC (6件)：

G03F 7/075 511 ,  C08L 83/04 ,  G03F 7/038 501 ,  G03F 7/038 601 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/312

FI (6件)：

G03F 7/075 511 ,  C08L 83/04 ,  G03F 7/038 501 ,  G03F 7/038 601 ,  H01L 21/312 D ,  H01L 21/30 502 R