特許

J-GLOBAL ID：200903094112821520

微細パターン形成材料およびパターン形成方法

発明者： 勝山 亜希子 ,  橋本 和彦 ,  遠藤 政孝
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-022299
公開番号（公開出願番号）：特開平5-217875
出願日： 1992年02月07日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 半導体デバイスの微細加工のための電子ビームリソグラフィー技術を用いた微細パターン形成材料およびパターン形成方法に関するものであり、特に、高感度に、高解像度、高コントラストの微細レジストパターンを容易に形成する。【構成】 半導体シリコン基板上11に下層膜12として高分子有機膜を2μm厚塗布し、ベーキングを行う。この上に電子線レジスト13を塗布し、ベーキングを行う。次に、電子ビーム描画を行い、ベーキングを行った後、このウェハを有機アルカリ水溶液で1分間現像を行うと、正確で微細なポジ型レジストパターン13pを得る。更にこれをマスクとして下層膜12のエッチングを行うと、エッチング時のパターン寸法シフトがなく、高精度に、微細レジストパターンを、容易に、正確に高アスペクト比に形成することができる。

請求項（抜粋）：

主鎖にSi-Si結合を含み、末端に芳香環を含んだ、アルカリ水溶液に溶解することが出来ないポリシラン系樹脂と,電子ビームが照射されることによって酸を発生することができる酸発生剤とから成る事を特徴とする微細パタ-ン形成材料。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/26 511

FI (3件)：

H01L 21/30 341 P ,  H01L 21/30 301 R ,  H01L 21/30 361 S