特許

J-GLOBAL ID：200903094114231509

半導体装置およびその製造方法

発明者： 前島 研三
出願人/特許権者： 住友ベークライト株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-364577
公開番号（公開出願番号）：特開2002-170879
出願日： 2000年11月30日
公開日（公表日）： 2002年06月14日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 層間絶縁膜に有機絶縁膜を使用し、酸素を含有するガスのプラズマによってエッチングして配線形成用の開口部を形成する半導体装置において、層間絶縁膜の電気特性の劣化や、配線構造の不良を招くことがない、半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 金属配線22に銅を主成分とする金属を用い、層間絶縁膜13に耐熱性を有する有機絶縁膜を用い、前記有機絶縁膜に対してエッチング選択性を有するハードマスク層14を有し、かつ前記金属配線22と層間絶縁膜13の間で生じる金属イオン等の相互拡散を防止するバリア層20に高融点金属あるいは高融点金属化合物を用いてなる半導体装置において、前記有機絶縁膜における前記バリア層と接触する部分に改質処理層19を設ける。

請求項（抜粋）：

銅を主成分とする金属からなる金属配線、耐熱性有機絶縁膜からなる層間絶縁膜、前記有機絶縁膜に対してエッチング選択性を有するハードマスク層、かつ高融点金属もしくは高融点金属化合物からなるバリア層を有してなる半導体装置において、前記層間絶縁膜と前記バリア層とが接触する部分に改質処理層を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/3205

FI (5件)：

H01L 21/312 A ,  H01L 21/90 S ,  H01L 21/302 H ,  H01L 21/88 M ,  H01L 21/88 R

Fターム (54件)：

5F004AA09 ,  5F004BA04 ,  5F004CA01 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB23 ,  5F004EA03 ,  5F004EA05 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH23 ,  5F033HH27 ,  5F033HH28 ,  5F033HH30 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033HH36 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR24 ,  5F033RR26 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033TT04 ,  5F033TT06 ,  5F033XX14 ,  5F033XX24 ,  5F058AA10 ,  5F058AC02 ,  5F058AD02 ,  5F058AD04 ,  5F058AD06 ,  5F058AD09 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02