多ダイオード・レーザー・アレイ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小堀益
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-092431
公開番号（公開出願番号）：特開平6-334274
出願日： 1994年04月28日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：

【要約】【目的】各レーザーが異なる特性を有することが出来る個々の半導体レーザー・アレイの組立てを可能にすること。【構成】本発明は、直線状様式にて支持ヒートシンクに固定された複数個の半導体レーザー・ダイスがレーザーに含まれる多ビーム半導体レーザー・アレイを製造する方法と装置の両者を対象としている。レーザーの正確な整合とレーザー間間隔の制御は、ヒートシンクの設置面上に形成された整合構造の使用を通じて達成される。一旦組立てられると、整合構造は、各半導体レーザー上に存在する隆起導波器と当接関係に維持される。本方法は、レーザー間間隔誤差を低減すべく相互に対するレーザー・ダイオードの正確な設置を可能にするだけでなく、多ダイオード・レーザー・アレイを製造する多段階整合作動の必要性を無くす。

請求項（抜粋）：

多ダイオード・レーザー・アレイであって:概ね平坦な表面を有するヒートシンクと;エミッターを形成すべく一連のエピタキシャル成長層をその表面上に蒸着させたウエハーと、前記エミッターの位置を定める隆起形導波器とを含む複数個のレーザー・ダイオードと;前記ヒートシンクの平坦な表面に沿って所定間隔にて配設され、且つ前記複数個のレーザー・ダイオードの導波器と関連するようになっており、前記レーザー・ダイオードの相互に対する間隔を制御して、その内部でのエミッターの正確な間隔を保証する整合手段とから成る多ダイオード・レーザー・アレイ。

IPC (2件)：

H01S 3/18 , H01S 3/25

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平1-202883
特開昭62-140484
特開平4-024981

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