特許
J-GLOBAL ID：200903094127268258
電界効果トランジスタの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-067267
公開番号（公開出願番号）：特開平8-115923
出願日： 1995年03月27日
公開日（公表日）： 1996年05月07日
要約：
【要約】【目的】高融点金属を用いたゲート電極を絶縁膜を用いることなくフォトレジストのみのリフトオフ法により形成する半導体装置の製造方法。【構成】半導体基板上に第一のフォトレジスト膜102を塗布しこれに第一の開口部Aを設け、全面に第一の導電膜103および第二のフォトレジスト膜104を被着し、第二のフォトレジスト膜に対して前記第一のフォトレジスト膜の開口部を含む領域に前記第一の開口部よりも大なる面積を有する第二の開口部Bを設ける。第二の開口部を覆い全面に第二の導電膜を被着し第二の開口部を通じ第二のフォトレジスト膜に対し第一の導電膜の一部が露出するまでエッチングを施し、第一の導電膜のみを選択的にエッチングした後リフトオフを行う。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に第一のフォトレジスト膜を塗布する工程と、前記第一のフォトレジスト膜に第一の露光と第一の現像処理を施し第一の開口部を設ける工程と、前記第一の開口部を覆いこの開口部の第一のフォトレジスト膜の側面を含む全面に第一の導電膜を被着する工程と、少なくとも前記第一の開口部を覆い前記第一の導電膜上の全面に第二のフォトレジスト膜を塗布する工程と、この第二のフォトレジスト膜に対して前記第一のフォトレジスト膜の開口部を含む領域に第二の露光と第二の現像処理を施し前記第一の開口部よりも大なる面積を有する第二の開口部を設ける工程と、少なくともこの第二の開口部を覆い全面に第二の導電膜を被着する工程と、第二の開口部を通じ第二のフォトレジスト膜に対し第一の導電膜の一部が露出するまでエッチングを施す工程と、続いて第二の開口部内の第二導電膜をマスクとして第一の導電膜のみを選択的にエッチングを施す工程と、前記第一、第二の導電膜及び前記第一、第二のフォトレジスト膜をリフトオフ法によって除去する工程とを含む電界効果トランジスタの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
