特許
J-GLOBAL ID：200903094132792119
半導体装置の製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-074848
公開番号（公開出願番号）：特開平6-291291
出願日： 1993年03月31日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：
【要約】【目的】 耐久性に優れた絶縁基板のSOI素子の製造方法を提供する。【構成】 単結晶珪素基板の上に、通常のLSIプロセスによってMOS型トランジスタ2、3、4、5が形成さる工程と、該素子基板に保護絶縁膜9を形成する工程と、保護絶縁膜の表面を研削、研磨等により平坦化、平滑化する工程と、該素子基板の平坦化した面と、ガラス等の絶縁基板10を向かい合わせて接合する工程と、単結晶珪素基板の非接合面側の素子が形成されていない領域を研削、研磨、化学エッチなどで取り除く工程とからなる半導体基板の製造方法。【効果】 有機接着剤を用いずにガラス等の絶縁基板上に単結晶半導体層に集積回路を形成した薄膜を転写でき、ガラス基板上に集積回路を形成できるために、表示素子としてだけでなく、周辺の駆動回路、制御回路、メモリー、さらにはCPUを含めたシステムまでを一基板上に形成できる。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板の上に単結晶半導体膜上に形成された集積回路を形成したいわゆるSOI構造の半導体装置の製造方法に於いて、すくなくともA.単結晶半導体基板の上に集積回路を形成する工程、B.該集積回路基板との表面を保護絶縁膜で覆う工程、C.該保護絶縁膜を研削、研磨などの機械的手段で平坦にする工程、D.該集積回路基板の平坦化した面と、ガラス基板等の絶縁性材料からなる基板の平坦な面とを向かい合わせて接合する工程、E.接合された単結晶半導体基板を研削、研磨等の手段で、集積回路の形成された層を残して除去する工程、とからなる半導体基板の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 27/12
, H01L 21/304 321
, H01L 21/306
, H01L 21/76
, H01L 21/336
, H01L 29/784
