電気メッキ、ケミカル-メカニカルポリッシング、洗浄及び乾燥ステーションを備える総合製造ツール及びその方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-519908
公開番号（公開出願番号）：特表2001-522945
出願日： 1998年09月16日
公開日（公表日）： 2001年11月20日
要約：

【要約】製作ツールが一つ以上の電着ステーション(14’)をCMP装置(16’)と一体化する。ツールは、洗浄工程に干渉することなく、基板を電気メッキステーションからCMP装置に運ぶ。更に、電着層の厚さは、基板の表面に物理的に接触する計器を使用して、研磨に先立って計測ステーション(86)で測定されて、その測定厚さを使って研磨パラメータを調節することができる。更に、製作ツールは、乾燥した清浄なウェハがインタフェースに戻される単一のインタフェースを持つことができる。

請求項（抜粋）：

半導体デバイスの製造方法であって、金属層を基板の上に電着させる工程と、前記金属層を化学機械的に研磨する工程とを有し、前記基板は前記電着工程と研磨工程との間で乾燥されないようにする半導体デバイスの製造方法。

IPC (4件)：

C25D 7/12 , C25D 5/48 , H01L 21/288 , H01L 21/304 622

FI (4件)：

C25D 7/12 , C25D 5/48 , H01L 21/288 E , H01L 21/304 622 N

Fターム (11件)：

4K024AA09 , 4K024BB12 , 4K024CB03 , 4K024DA10 , 4K024DB07 , 4K024DB10 , 4M104BB04 , 4M104DD52 , 4M104DD53 , 4M104DD75 , 4M104DD77

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