特許
J-GLOBAL ID：200903094136029762
ドライエツチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-244394
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055173
出願日： 1991年08月29日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：
【要約】【目的】同一のエッチング装置でSiN膜とPSG膜との二層膜を同時にエッチングして、工数を減少させることができると共に、良好なエッチング形状を形成することができる、ドライエッチング方法を提供する。【構成】SiN膜11上にフォトレジスト膜13のマスキングを施し、その上方からCF4 とHeとを同程度の割合で混合したガスで所定の圧力として上記SiN膜11をエッチングし、そのままPSG膜12が数千オングストローム除去されるまで同一ガスでエッチングを続け、爾後、上記CF4 の流量を減少させると共に、その分のCHF3 を流し込み同一圧力で上記PSG膜12をエッチングするようにしたものである。
請求項（抜粋）：
パッシベーションやダブルメタルの層間膜として使用されるSiN膜とPSG膜との二層膜のドライエッチング方法において、上記SiN膜上にフォトレジスト膜のマスキングを施し、その上方からCF4 とHeとを同程度の割合で混合したガスで所定の圧力として上記SiN膜をエッチングし、そのまま上記PSG膜が数千オングストローム除去されるまで同一ガスでエッチングを続け、爾後、上記CF4 の流量を減少させると共に、その分のCHF3 を流し込み同一圧力で上記PSG膜をエッチングするようにしたことを特徴とする、ドライエッチング方法。
IPC (2件)：
H01L 21/302
, H01L 21/316
